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EABR与人工耳蜗电极植入深度关系的初步研究

A preliminary study on the correlation of electrically evoked auditory brainstem response and electrically evoked compound action potential with the inserting depth of cochlear electrode

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收录情况: ◇ 统计源期刊

机构: [1]首都医科大学宣武医院耳鼻咽喉头颈外科 , 100053 [2]首都医科大学附属北京友谊医院耳鼻咽喉头颈外科 [3]中国医学科学院北京协和医学院北京协和医院耳鼻咽喉科
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ISSN:

关键词: 人工耳蜗 植入深度 电诱发听性脑干反应 电诱发听神经复合动作电位 相关性

摘要:
目的 初步探讨人工耳蜗电极植入深度和术后电诱发听性脑干反应(EABR,Electrically evoked auditory brainstem responses)及电诱发听神经复合动作电位(electrically evoked compound actionpotentials,ECAP)的相关性. 方法 选取耳蜗形态正常植入奥地利标准电极患者24例,术后头颅侧位片检查判断电极全植入. 根据电极耳蜗内位置分为E9-E12耳蜗底区、E5-E8耳蜗中区、E1-E4耳蜗顶区三部分,分别记录各区域EABR阈值及波形特点和对应区域的ECAP阈值,分析其间相关性. 结果蜗顶部、蜗中部、蜗底部EABR引出率分别为87.50%,83.33%,79.16%;ECAP引出率分别为91.67%,79.17%,75%;EABR波V阈值为分别为(20.13±5.91)qu,(22.98±4.82)qu,(26.71±6.25)qu;ECAP阈值分别为 (21.61±4.18)qu,(23.28±3.70)qu,(29.18±3.74)qu.结论 蜗顶部和蜗中部EABR及ECAP引出率高于蜗底部,自蜗顶区至蜗底区EABR和EACP阈值依次增高,相同植入深度电极的EABR阈值低于ECAP阈值.

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第一作者:
第一作者机构: [1]首都医科大学宣武医院耳鼻咽喉头颈外科 , 100053
通讯作者:
通讯机构: [3]中国医学科学院北京协和医学院北京协和医院耳鼻咽喉科
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