目的 研究局灶性皮质发育不良(FCD)皮质脑电图中发作期异常放电(ID)起源皮质与发作间期异常放电(IED)皮质之间病理学改变的特点及相互关系,进而探讨FCD的致癎机制.方法 自2005年4月至2006年8月,以北京功能神经外科研究所收治的22例术前采用长程颅内电极埋置,术后病理证实为FCD的患者为研究对象.术中根据长程脑电图监测结果,对22例患者皮质上IED集中处与ID处分别给予切除.对2组病理标本进行多项病理组织学及免疫组织化学检查.结果 共收集到20例患者的病理标本.ID与IED的病理组织学改变包括皮质结构紊乱、异常神经细胞及气球细胞的出现,皮质ID处的异常重于IED处.应用微小清蛋白(PV)半定量评分标准比较,FCD Ⅱ型中IED[(4.4±1.8)分]与ID[(6.4±2.1)分] 组间评分差异有统计学意义(P=0.042).ID各分型之间组织标本的PV评分差异无统计学意义(F=2.734,P=0.093).结论 ID区域的病理组织学结构相对于IED紊乱,而且其抑制性神经元环路缺失的特点更为显著,提示ID区域的致癎性强于IED区域.各种ID波形均提示致癎灶,手术中应给予彻底切除.