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◇ 中华系列
文章类型：
机构：
[1]首都医科大学宣武医院,北京市老年病研究所神经生物研究室,教育部神经退行性疾病重点实验室,北京100053
首都医科大学宣武医院
[2]北京大学医学部细胞生物学系
北京大学
出处：
ISSN：
关键词：
电离辐射
大脑皮质
凋亡
p53
诱导型一氧化氮合酶
摘要：
目的 采用电离辐射诱导的新生大鼠大脑皮质神经细胞损伤模型,探讨电离辐射诱导发育脑伸经细胞死亡的特征和机制.方法 新生大鼠接受单次2.0 Gy γ射线照射后,采用DNA凝胶电泳、TUNEL和HE染色鉴定大脑皮质神经细胞死亡的类型和时程变化特点;应用免疫组织化学方法研究p53和iNOS在细胞死亡过程中的可能作用.结果 DNA凝胶电泳、TUNEL和HE染色表明,2.0 Gy γ射线照射可诱导新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡.大脑皮质各区域凋亡指数于照射后4 h开始增高,至12 h达到峰值;照射后相同时间点各皮质区域凋亡指数比较,新皮质最高,海马次之,旧皮质最低;P53和iNOS免疫阳性细胞计数定量结果显示,照射后相同时间点各皮质区域P53和iNOS免疫阳性细胞数差异无统计学意义.结论 2.0 Gy γ射线照射诱导了新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡;不同皮质区域的神经细胞对电离照射引起的损伤反应是相似的,但不同皮质区域的神经细胞凋亡存在差异.
基金：
国家自然科学基金 (30371574,30430280,30671950)
第一作者：
第一作者机构：
[1]首都医科大学宣武医院,北京市老年病研究所神经生物研究室,教育部神经退行性疾病重点实验室,北京100053
通讯作者：
通讯机构：
[2]北京大学医学部细胞生物学系
推荐引用方式(GB/T 7714)：
徐胜利,沈丽,陈彪.60Coγ射线诱导的新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡[J].中华放射医学与防护杂志.2008,28(2):99-103.
