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超高场强磁共振深部脑刺激电极周围组织的病理改变

Pathological findings around deep brain stimulation leads in ultra-high field MRI

文献详情

资源类型:

收录情况: ◇ 统计源期刊 ◇ 北大核心 ◇ CSCD-C ◇ 中华系列

机构: [1]首都医科大学附属北京天坛医院神经外科北京市神经外科研究所功能神经外科研究室100050
出处:
ISSN:

关键词: 脑深部电刺激 磁共振成像 活体研究 病理改变 热损伤

摘要:
目的 通过对比超高场强MRI(7.0T和3.0T)与高场强MRI(1.5 T)下深部脑刺激(DBS)电极周围组织的病理学变化,深入探讨射频磁场中DBS电极热效应对周围组织的影响.方法 雄性新西兰白兔18只,随机分人7.0T组(n=6),3.0T组(n=6)及高场强1.5T组(n=6).各组动物以左侧丘脑腹后核为靶点,植入全套DBS电极和刺激器.术后进行对应场强核磁共振扫描,24 h后对针道周围脑组织进行HE染色及电镜检查,并对组织损伤进行评估.所有统计结果采用均数±标准差表示,使用SPSS 19.0医学统计程序进行单向方差分析,P<0.05为差异有统计学.结果 HE染色及电镜检查显示在距针道相等距离位置,7.0T组及3.0T组的细胞损伤程度与高场强1.5T组相比,差异无统计学意义(P>0.05).结论 超高场强磁共振(3.0T及7.0T)并未造成DBS电极周围出现明显热损伤,提示体内植入DBS设备的患者进行超高场强磁共振扫描可能是安全的.

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第一作者:
第一作者机构: [1]首都医科大学附属北京天坛医院神经外科北京市神经外科研究所功能神经外科研究室100050
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