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迷走神经刺激术对脑干孤束核部位GABA含量的影响

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收录情况: ◇ 中华系列

机构: [1]北京市第四医院神经科 [2]北京市天坛医院神经外科 [3]北京市神经外科研究所 北京 100062
出处:
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关键词: 迷走神经刺激术 孤束核 γ-氨基丁酸

摘要:
目的:探讨迷走神经刺激术(VNS)抗癫痫作用的机制是否为VNS引起孤束核部位GABA含量变化。方法:通过Waters高效液相色谱系统分析32只接受不同持续时间迷走神经刺激的大鼠脑干孤束核部位主要兴奋及抑制性氨基酸含量的变化。结果:1小时持续刺激组孤束核部位GABA含量较对照组升高且差异有显著意义。结论:迷走神经刺激术可能通过升高孤束核部位的GABA含量起到抗癫痫作用。

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